[实用新型]射频消融碳化硅电极及射频消融装置

说明书

本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，碳化硅半导体器件用于射频消融。在本申请中，碳化硅半导体器件作为消融电极，替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极，能够提高射频消融电极的精准性和设计性，降低手术并发症发生的概率。同时，本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上，利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料，在可视化下直接进行射频消融，实时控制消融面积并快速反馈消融情况，有效降低手术并发症，减少手术时间。

技术领域

本申请涉及射频消融技术领域，尤其涉及一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置。

背景技术

微创射频消融术，是指在内镜直视下或其他方式(如放射、B超、磁导航等)引导下,将不同类型射频消融电极放置于消化道扁平黏膜病变处/心肌电信号异常处/体内其他异常组织处(肿瘤、息肉等)，通过射频电流产生凝固坏死而消除病变的一种微创治疗技术。常用于消化道(胃肠镜)、呼吸道(喉镜、纤支镜)、骨椎间孔内镜/关节内镜微创手术、心血管微创介入手术、肿瘤微创消融治疗手术、妇科生殖道消融手术等。现有的射频消融手术多使用针状或圆柱状消融设备，存在很多手术并发症，如：损伤正常组织、感染、凝血性坏死、组织烧焦等。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，用以解决以上问题。

本申请提供了一种射频消融碳化硅电极，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，所述碳化硅半导体器件用于射频消融。

在一些可能的实施方式中，所述电极主体的外径为3～5mm。

在一些可能的实施方式中，所述碳化硅半导体器件为透明材质，所述碳化硅半导体器件作为所述内镜的物镜。

在一些可能的实施方式中，所述射频消融碳化硅电极还包括测温热电偶，所述测温热电偶与所述碳化硅半导体器件电连接。

在一些可能的实施方式中，所述电极主体的周向外壁上设有绝缘层。

在一些可能的实施方式中，沿着所述电极主体的长度方向，所述绝缘层上还设有刻度线。

在一些可能的实施方式中，所述碳化硅半导体器件为方形、圆形或正多边形。

本申请还提供一种射频消融装置，包括所述的射频消融碳化硅电极。

本申请中，碳化硅半导体器件作为消融电极，替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极，能够提高射频消融电极的精准性和设计性，降低手术并发症发生的概率，从而减少病人的病痛。同时，相较于现有技术中不同形状的(如针状、环状等)射频消融探头，本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上，利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料，在可视化下直接进行射频消融，实时控制消融面积并快速反馈消融情况，有效降低手术并发症，减少手术时间。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种射频消融碳化硅电极的结构示意图。

图2为图1所示的碳化硅半导体器件制备过程中，碳化硅形成于硅表面的截面结构示意图。

图3为图2所示一实施例中玻璃层涂覆于碳化硅背离硅表面，并除去硅基底的截面结构示意图。

图4为图3所示一实施例中硅基底背离玻璃层的表面沉积铝层的截面结构示意图。

图5为图4所示一实施例中蚀刻部分碳化硅，并涂覆聚酰亚胺薄膜的截面结构示意图。

图6为图1所示的应用射频消融碳化硅电极的射频消融装置的结构示意图。