[实用新型]射频消融碳化硅电极及射频消融装置有效
| 申请号： | 202223578337.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN219557533U | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李碧波;蔡雄飞;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | A61B18/14 | 分类号： | A61B18/14 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 消融 碳化硅 电极 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频消融碳化硅电极，其特征在于，包括：
电极主体，所述电极主体的端部设有内镜；
碳化硅半导体器件，与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，所述碳化硅半导体器件用于射频消融。
2.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述电极主体的外径为3～5mm。
3.如权利要求2所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述碳化硅半导体器件为透明材质，所述碳化硅半导体器件作为所述内镜的物镜。
4.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述射频消融碳化硅电极还包括测温热电偶，所述测温热电偶与所述碳化硅半导体器件电连接。
5.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述电极主体的周向外壁上设有绝缘层。
6.如权利要求5所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，沿着所述电极主体的长度方向，所述绝缘层上还设有刻度线。
7.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述碳化硅半导体器件为方形、圆形或正多边形。
8.一种射频消融装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的射频消融碳化硅电极。
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