[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202223036588.5 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN218769544U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张皓宇;陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构。该半导体结构中，将U型沟道层设置在栅极导电层内的竖直通孔中，并将第一接触垫和第二接触垫分别设置在U型沟道层的底部和顶部，使得半导体结构整体以竖直的方式设置，实现了尺寸的缩减。并且，U型沟道层具有第一沟道层和第二沟道层，第一沟道层可用于在栅极介质层的制备过程中覆盖栅极介质层，避免栅极介质层受到刻蚀轰击而产生刻蚀损伤，有利于提高半导体结构的性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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