[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202223036588.5 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN218769544U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张皓宇;陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一接触垫和第一绝缘结构，形成在所述衬底上，所述第一绝缘结构环绕在所述第一接触垫的外周；
栅极导电层，形成在所述第一绝缘结构上，并在所述栅极导电层的中心还形成有竖直的通孔，所述通孔位于所述第一接触垫的上方；
栅极介质层，设置在所述栅极导电层暴露于通孔的侧壁上；
U型沟道层，形成在所述通孔内，所述U型沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层设置在所述栅极介质层暴露于通孔的侧壁上，所述第二沟道层设置在所述第一沟道层的侧壁上并覆盖通孔底部的第一接触垫；以及，
第二接触垫，设置在所述通孔的顶部并连接所述U型沟道层。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层和所述第二沟道层的材料均包括多晶硅。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述U型沟道层的材料包括第一掺杂类型的多晶硅，所述第一接触垫和所述第二接触垫的材料包括第二掺杂类型的多晶硅。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二绝缘结构，所述第二绝缘结构填充在所述通孔中，所述第二接触垫形成在所述第二绝缘结构上。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘结构的顶部位置低于所述通孔的顶部位置，所述第二接触垫填充所述通孔。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一导线和第二导线，所述第一导线形成在所述第一接触垫的下方并沿着第一方向延伸，所述第二导线形成在所述第二接触垫的上方并沿着第二方向延伸。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一接触垫，形成在所述衬底上，并由衬底上的第一绝缘结构定义出；
第三绝缘结构，形成在所述衬底上并位于所述第一接触垫和所述第一绝缘结构的上方，在所述第三绝缘结构中还具有通孔，所述通孔曝露出所述第一接触垫的顶部；
第一沟道层，形成在所述通孔的侧壁位置，并界定出所述通孔的内侧壁；
第二沟道层，形成在所述通孔的内侧壁上，并接触所述第一接触垫的顶部；
第二绝缘结构，填充在所述通孔内，并位于所述第二沟道层上而接触所述第二沟道层的底部与侧壁；以及，
栅极介质层，位于所述第一沟道层背离所述第二沟道层的外侧壁上。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二接触垫，所述第二接触垫设置在所述通孔的顶部并连接所述第二沟道层。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括间隔介质层，所述间隔介质层位于所述第一接触垫和所述第一绝缘结构的上方，并位于所述第三绝缘结构的下方，所述通孔从所述第三绝缘结构向下延伸至所述间隔介质层内以暴露出所述第一接触垫。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括栅极导电层，所述栅极导电层形成在所述栅极介质层背离第一沟道层的侧壁上。
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