[实用新型]一种生长碳化硅单晶的装置有效

专利信息
申请号: 202222150005.5 申请日: 2022-08-16
公开(公告)号: CN217809778U 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 余志明;刘洋洋;李志强;陈启迪;吕品 申请(专利权)人: 山西天成半导体材料有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 王卓
地址: 030000 山西省太原市中*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的装置,包括双层水冷式单晶硅生长炉主体与循环泵,所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁分别设有第一循环口与第二循环口,所述循环泵的输出端包括有输出接口与输入接口,所述输出接口连通有导液管,所述导液管的另一端与第二循环口连通,所述输入接口的顶部一端连通有出液管,所述出液管的顶部一端连通有循环过滤管。本实用新型通过循环过滤管内设有的过滤板能够将管道中循环的水进行过滤,能够将水中过滤中的杂质存留在循环过滤管的内部,避免杂质造成水管堵塞,有利于提供稳定的散热效果,防止损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。
搜索关键词: 一种 生长 碳化硅 装置
【主权项】:
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