[实用新型]一种生长碳化硅单晶的装置

权利要求书

1.一种生长碳化硅单晶的装置，包括双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)与循环泵(8)，其特征在于：所述循环泵(8)设于双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)的一侧，所述双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)的侧壁分别设有第一循环口(6)与第二循环口(7)，所述循环泵(8)的输出端包括有输出接口(9)与输入接口(15)，所述输出接口(9)连通有导液管(10)，所述导液管(10)的另一端与第二循环口(7)连通，所述输入接口(15)的顶部一端连通有出液管(20)，所述出液管(20)的顶部一端连通有循环过滤管(16)，所述循环过滤管(16)的顶部一端分别连通有进液管(17)与冲洗管(18)，所述循环过滤管(16)底部远离出液管(20)的一端连通有排污管(19)，所述进液管(17)的另一端与第一循环口(6)连通，所述循环过滤管(16)的内壁固定设有过滤板(21)。

2.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述排污管(19)位于进液管(17)的正下方，所述出液管(20)位于冲洗管(18)的正下方，所述过滤板(21)位于进液管(17)与冲洗管(18)之间，所述过滤板(21)位于排污管(19)与出液管(20)之间。

3.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述冲洗管(18)的顶部一端外壁设有外螺纹接口，所述外螺纹接口的外壁螺接有内螺纹密封盖(22)，所述排污管(19)上设有第二阀门(23)。

4.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述导液管(10)的一侧外壁连通有加液管(11)，所述加液管(11)上设有第一阀门(12)。

5.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述循环泵(8)的一侧外壁固定设有固定板(13)，所述固定板(13)的一侧外壁开有等距离分布的固定孔(14)，所述固定孔(14)的内壁配有相适配的固定栓。

6.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)的一侧外壁通过铰链设有保温炉门(2)，所述保温炉门(2)的外壁分别设有气压计(3)与温度表(4)，所述气压计(3)与温度表(4)的检测端均位于保温炉门(2)的内壁。

7.根据权利要求6所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述保温炉门(2)的一侧外壁设有轮盘锁(5)。