[实用新型]一种生长碳化硅单晶的装置有效

专利信息
申请号: 202222150005.5 申请日: 2022-08-16
公开(公告)号: CN217809778U 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 余志明;刘洋洋;李志强;陈启迪;吕品 申请(专利权)人: 山西天成半导体材料有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 王卓
地址: 030000 山西省太原市中*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 碳化硅 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的装置,包括双层水冷式单晶硅生长炉主体与循环泵,所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁分别设有第一循环口与第二循环口,所述循环泵的输出端包括有输出接口与输入接口,所述输出接口连通有导液管,所述导液管的另一端与第二循环口连通,所述输入接口的顶部一端连通有出液管,所述出液管的顶部一端连通有循环过滤管。本实用新型通过循环过滤管内设有的过滤板能够将管道中循环的水进行过滤,能够将水中过滤中的杂质存留在循环过滤管的内部,避免杂质造成水管堵塞,有利于提供稳定的散热效果,防止损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产设备辅助领域,具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置。

背景技术

碳化硅单晶材料,具有禁带宽、热导率高,击穿场强高,饱和电子漂移速率高,化学性能稳定,硬度高,抗磨损,高键和高能量以及抗辐射等优点,可广泛用于制造高温,高频,高功率,抗辐射,大功率和高密集集成电子器件,生长碳化硅需要使用单晶硅生长炉,炉膛内温度高达2300℃,不间断生长长达7天,碳化硅单晶生长炉采用炉体中空。

一般通过双层水冷式结构的炉体,给予炉体的内壁通入循环水,通入循环水的方式来对炉体和感应线圈进行保护,一旦水路堵塞,轻则影响散热,导致单晶炉内温场变化,使得碳化硅晶体产生微管、相变等缺陷乃至烧毁籽晶,重则导致爆管、烧毁线圈等重要设备,酿成生产事故,双层水冷式炉体内部的循环管路以及管路的连接处可避免会残留焊渣、生胶带、麻绳、铁锈等杂物,现有的过滤装置,过滤结构简单,容易堵塞,需要将过滤装置取出才能够清理杂物,不便于操作,为此我们提出一种生长碳化硅单晶的装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种生长碳化硅单晶的装置,以解决技术中的上述不足之处。

为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种生长碳化硅单晶的装置,包括双层水冷式单晶硅生长炉主体与循环泵,所述循环泵设于双层水冷式单晶硅生长炉主体的一侧,所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁分别设有第一循环口与第二循环口,所述循环泵的输出端包括有输出接口与输入接口,所述输出接口连通有导液管,所述导液管的另一端与第二循环口连通,所述输入接口的顶部一端连通有出液管,所述出液管的顶部一端连通有循环过滤管,所述循环过滤管的顶部一端分别连通有进液管与冲洗管,所述循环过滤管底部远离出液管的一端连通有排污管,所述进液管的另一端与第一循环口连通,所述循环过滤管的内壁固定设有过滤板。

优选的,所述排污管位于进液管的正下方,所述出液管位于冲洗管的正下方,所述过滤板位于进液管与冲洗管之间,所述过滤板位于排污管与出液管之间。

优选的,所述冲洗管的顶部一端外壁设有外螺纹接口,所述外螺纹接口的外壁螺接有内螺纹密封盖,所述排污管上设有第二阀门。

优选的,所述导液管的一侧外壁连通有加液管,所述加液管上设有第一阀门。

优选的,所述循环泵的一侧外壁固定设有固定板,所述固定板的一侧外壁开有等距离分布的固定孔,所述固定孔的内壁配有相适配的固定栓,便于将循环泵固定于双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁。

优选的,所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的一侧外壁通过铰链设有保温炉门,所述保温炉门的外壁分别设有气压计与温度表,所述气压计与温度表的检测端均位于保温炉门的内壁,通过气压计便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体内的气压,通过温度表便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体内的温度。

优选的,所述保温炉门的一侧外壁设有轮盘锁,通过轮盘锁便于控制保温炉门的开合状态。

在上述技术方案中,本实用新型提供的技术效果和优点:

通过循环过滤管内设有的过滤板能够将管道中循环的水进行过滤,能够将水中过滤中的杂质存留在循环过滤管的内部,避免杂质造成水管堵塞,有利于提供稳定的散热效果,防止损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。

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