[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 202221997977.1 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN217788401U | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 谢速 | 申请（专利权）人： | 杰平方半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 重庆飞思明珠专利代理事务所(普通合伙) 50228 | 代理人： | 艾铭伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率场效应晶体管器件，包括漏电极、源电极、栅电极；漏电极贴合于衬底区的下表面，衬底区的一侧上表面上设置有缓冲区，缓冲区的高度大于衬底区的高度，在缓冲区上设置有第一漂移区，在衬底区另一侧的上表面设置有第二漂移区，第二漂移区的厚度大于第一漂移区的厚度，源区与源电极并排嵌入源体区，源体区的下表面与第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与第一漂移区接触，栅电极、栅区和绝缘层从上到下依次层叠设置在第一漂移区的上方，且绝缘层的下表面与第一漂移区、源体区以及部分源区的上表面接触。有效缩短了电流路径，降低了器件的比导通电阻，提升了MOSFET器件的UIS雪崩耐量能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 基超结 功率 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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