[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，由多个重复元胞结构相互拼接而成，所述元胞结构包括漏电极、源电极、栅电极，其特征在于：还包括衬底区、源区、源体区、栅区以及绝缘层；所述漏电极贴合于所述衬底区的下表面，所述衬底区的一侧上表面上设置有缓冲区，所述缓冲区的高度大于所述衬底区的高度，在所述缓冲区上设置有第一漂移区，在所述衬底区另一侧的上表面设置有第二漂移区，且该第二漂移区部分位于所述缓冲区的上方，所述第二漂移区的内表面与所述第一漂移区的内表面相接触，所述第二漂移区的厚度大于所述第一漂移区的厚度，所述源区与所述源电极并排嵌入所述源体区，所述源区、源电极的上表面与所述源体区的上表面齐平，且所述源区位于所述源电极的内侧，所述源体区的下表面与所述第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与所述第一漂移区接触，所述栅电极、栅区和绝缘层从上到下依次层叠设置在所述第一漂移区的上方，且所述绝缘层的下表面与所述第一漂移区、源体区以及部分源区的上表面接触。

2.根据权利要求1所述的4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，其特征在于：所述源区、第一漂移区、衬底区、缓冲区、栅区与所述源体区、第二漂移区的掺杂类型不同，当所述源区、第一漂移区、缓冲区、衬底区和栅区的掺杂类型为N型时，所述源体区、第二漂移区的掺杂类型为P型；当所述源区、第一漂移区、缓冲区、衬底区和栅区的掺杂类型为P型时，所述源体区、第二漂移区的掺杂类型为N型。

3.根据权利要求2所述的4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，其特征在于：所述缓冲区的掺杂浓度低于所述衬底区的掺杂浓度，且缓冲区的掺杂浓度高于第一漂移区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，其特征在于：所述衬底区与所述第二漂移区接触的面积小于与所述缓冲区接触的面积。

5.根据权利要求1所述的4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，其特征在于：所述源区、第一漂移区、衬底区、源体区、第二漂移区和栅区均由半导体材料制成，所述漏电极、源电极和栅电极均由金属材料制成。

6.根据权利要求5所述的4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件，其特征在于：所述半导体材料为硅、砷化镓、氮化镓或者碳化硅。