[实用新型]一种用于芯片封装的防氧化炉有效
申请号: | 202221173517.7 | 申请日: | 2022-05-17 |
公开(公告)号: | CN217306455U | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 赵永先;张延忠;邓燕 | 申请(专利权)人: | 泰姆瑞(北京)精密技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京佐行专利代理事务所(特殊普通合伙) 11683 | 代理人: | 王占愈 |
地址: | 101100 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种用于芯片封装的防氧化炉,包括炉体、载台、加热机构、输送机构、温控机构、冷却机构以及防氧化气体注入机构;在所述炉腔的入口和出口之间划分若干分区,所述输送机构能够将载台上的芯片由入口经所有分区后运送至出口,所述加热机构能够对每个分区提供不同的加热温度;所述温控机构包括测温装置,其中,每个分区都至少设置有1个测温装置;所述防氧化气体注入机构包括有气体注入口,所述气体注入口连接所述炉腔的内部,用于注入惰性气体和/或还原性气体。芯片被所述加热机构加热后,由输送机构运送至所述加热冷却单元进行具有加热模式的冷却,再运送至冷却单元。本申请提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 芯片 封装 氧化 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造