[实用新型]一种用于芯片封装的防氧化炉

说明书

本申请提供一种用于芯片封装的防氧化炉，包括炉体、载台、加热机构、输送机构、温控机构、冷却机构以及防氧化气体注入机构；在所述炉腔的入口和出口之间划分若干分区，所述输送机构能够将载台上的芯片由入口经所有分区后运送至出口，所述加热机构能够对每个分区提供不同的加热温度；所述温控机构包括测温装置，其中，每个分区都至少设置有1个测温装置；所述防氧化气体注入机构包括有气体注入口，所述气体注入口连接所述炉腔的内部，用于注入惰性气体和/或还原性气体。芯片被所述加热机构加热后，由输送机构运送至所述加热冷却单元进行具有加热模式的冷却，再运送至冷却单元。本申请提高了工作效率。

技术领域

本申请涉及回流焊接领域，尤其是指一种用于芯片封装的防氧化炉。

背景技术

在现有加热焊接技术中，一般使用氮气作为保护气体防止氧化，使用焊膏对工件进行焊接，同时，使用焊剂来去除氧化物，润湿被焊接表面，减小焊膏的表面张力，防止再氧化。焊剂主要是去除焊接部位的氧化物以及防止焊接部位的再氧化，并对焊膏辅助润湿条件。试验证明，在氮气保护下加入甲酸作为焊剂即能起到防止氧化和辅助润湿的作用，在使用氮气加甲酸的环境下，使用的焊膏中不需含有活化剂，焊后也无残留物留下，对精细间距器件的焊接极为有利。氮气、焊膏、甲酸相结合，能够破除氧化物，获得基材的纯净表面，达到可靠的连接。目前在芯片封装焊接炉的使用中，为保证焊接质量大量注入氮气，而使得氮气成本增加，同时使用热风扰动，使得氧含量无法控制，焊接质量不高，无法满足如芯片封装焊接等对焊接质量要求较高的焊接工艺，无法实现氧化物还原工艺，焊接质量较低。

实用新型内容

为解决上述问题，本申请提供一种用于芯片封装的防氧化炉，包括炉体、载台、加热机构、输送机构、温控机构、冷却机构以及防氧化气体注入机构；

所述载台设置在所述炉体的炉腔内，用于承载芯片；在所述炉腔的入口和出口之间划分若干分区，所述输送机构能够将载台上的芯片由入口经所有分区后运送至出口；

所述加热机构用于对芯片进行加热，其中，所述加热机构能够对每个分区提供不同的加热温度；

所述温控机构包括测温装置，其中，每个分区都至少设置有1 个测温装置；所述防氧化气体注入机构包括有气体注入口，所述气体注入口连接所述炉腔的内部，用于注入惰性气体和/或还原性气体；

在靠近炉腔出口的载台上设置有冷却机构，所述冷却机构包括至少一个具有加热模式的加热冷却单元和至少一个冷却单元，芯片被所述加热机构加热后，由输送机构运送至所述加热冷却单元进行具有加热模式的冷却，再运送至冷却单元。

其中，优选的，所述加热机构的加热方式包括内热式加热和外热式加热；使用内热式加热时，所述加热机构设置于炉腔内部，直接对炉腔内部进行加热，在所述加热机构与所述输送机构接触的位置上设置有传输避位槽，用于输送机构传送芯片过程中的避位；使用外热式加热时，所述加热机构设置在所述炉腔外部。

其中，优选的，所述防氧化气体注入机构通过所述气体注入口向所述炉腔内充入氮气和/或甲酸。

其中，优选的，所述输送机构还连接有上下料机构，所述上下料机构包括上料机构和下料机构；所述输送机构的起始端连接所述上料机构，所述输送机构的终末端连接所述下料机构；所述上料机构用于带动芯片移动至所述输送机构的起始端，所述上料机构用于带动芯片由所述输送机构的终末端移动至下料机构的出口；所述上下料机构还包括夹紧机构，所述夹紧机构包括夹紧驱动装置和推片，所述推片用于拨动调整芯片在所述上料机构和下料及机构上的位置；所述夹紧驱动装置能够带动所述推片运动，所述推片的运动方向与输送机构的输送方向相互垂直。

其中，优选的，所述炉体包括可开合的上炉体和下炉体，所述上炉体和下炉体闭合后能够形成相对密闭的炉腔，其中，所述上炉体与下炉体的闭合面设置有至少2道密封条，所述上炉体和下炉体之间均匀分布有若干个快速夹紧装置，用于将上下炉体紧密贴合。