[实用新型]一种用于芯片封装的防氧化炉有效
申请号: | 202221173517.7 | 申请日: | 2022-05-17 |
公开(公告)号: | CN217306455U | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 赵永先;张延忠;邓燕 | 申请(专利权)人: | 泰姆瑞(北京)精密技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京佐行专利代理事务所(特殊普通合伙) 11683 | 代理人: | 王占愈 |
地址: | 101100 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 芯片 封装 氧化 | ||
1.一种用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,包括炉体、载台、加热机构、输送机构、温控机构、冷却机构以及防氧化气体注入机构;
所述载台设置在所述炉体的炉腔内,用于承载芯片;在所述炉腔的入口和出口之间划分若干分区,所述输送机构能够将载台上的芯片由入口经所有分区后运送至出口;
所述加热机构用于对芯片进行加热,其中,所述加热机构能够对每个分区提供不同的加热温度;
所述温控机构包括测温装置,其中,每个分区都至少设置有1个测温装置;所述防氧化气体注入机构包括有气体注入口,所述气体注入口连接所述炉腔的内部,用于注入惰性气体和/或还原性气体;
在靠近炉腔出口的载台上设置有冷却机构,所述冷却机构包括至少一个具有加热模式的加热冷却单元和至少一个冷却单元,芯片被所述加热机构加热后,由输送机构运送至所述加热冷却单元进行具有加热模式的冷却,再运送至冷却单元。
2.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述加热机构的加热方式包括内热式加热和外热式加热;使用内热式加热时,所述加热机构设置于炉腔内部,直接对炉腔内部进行加热,在所述加热机构与所述输送机构接触的位置上设置有传输避位槽,用于输送机构传送芯片过程中的避位;使用外热式加热时,所述加热机构设置在所述炉腔外部。
3.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述防氧化气体注入机构通过所述气体注入口向所述炉腔内充入氮气和/或甲酸。
4.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述输送机构还连接有上下料机构,所述上下料机构包括上料机构和下料机构;所述输送机构的起始端连接所述上料机构,所述输送机构的终末端连接所述下料机构;所述上料机构用于带动芯片移动至所述输送机构的起始端,所述下料机构用于带动芯片由所述输送机构的终末端移动至下料机构的出口;所述上下料机构还包括夹紧机构,所述夹紧机构包括夹紧驱动装置和推片,所述推片用于拨动调整芯片在所述上料机构和下料机构上的位置;所述夹紧驱动装置能够带动所述推片运动,所述推片的运动方向与输送机构的输送方向相互垂直。
5.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述炉体包括可开合的上炉体和下炉体,所述上炉体和下炉体闭合后能够形成相对密闭的炉腔,其中,所述上炉体与下炉体的闭合面设置有至少2道密封条,所述上炉体和下炉体之间均匀分布有若干个快速夹紧装置,用于将上下炉体紧密贴合。
6.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述加热机构包括加热模组,所述加热模组能够装配在所述载台上,其中,每个分区至少对应1个加热模组。
7.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述炉体上还设置有炉门密封系统,所述炉门密封系统包括升降装置和炉门,所述炉门设置在所述炉腔的出口及入口,所述升降装置能够带动炉门垂直升降,对所述炉腔形成相对密封。
8.如权利要求1所述的用于芯片封装的防氧化炉,其特征在于,所述输送机构包括垂直移动装置、水平移动装置和工件传输支撑装置;所述水平移动装置能够沿载台方向进行水平运动,所述垂直移动装置固定在所述水平移动装置上,能够在竖直方向运动;所述工件传输支撑装置连接在所述垂直移动装置上,能够带动载台上的芯片进行水平方向和竖直方向上的步进式移动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰姆瑞(北京)精密技术有限公司,未经泰姆瑞(北京)精密技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221173517.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高效污水处理纤维滤料
- 下一篇:一种具有内推结构的注塑模具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造