[实用新型]一种高压大功率半导体激光光控晶闸管有效
申请号: | 202220918637.9 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN217387182U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 黄曹斌;聂强;任成贤 | 申请(专利权)人: | 四川两用技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/167 | 分类号: | H01L31/167;H01L23/367 |
代理公司: | 合肥上博知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人: | 张果果 |
地址: | 621000 四川省绵阳市绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高压大功率半导体激光光控晶闸管,包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤,所述晶闸管本体包括壳体,所述壳体内部开设有芯片腔,芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路;所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。本实用新型公开的高压大功率半导体激光光控晶闸管工作过程较普通晶闸管工作时无须接通额外的触发电平,从而避免了高压电流通过触发回路返回到触发器上,导致人身伤亡事故以及触发器损坏的发生,使用时只要激光能量及激光光纤的长度足够就可以轻松实现远程操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 大功率 半导体 激光 光控 晶闸管 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川两用技术有限公司,未经四川两用技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202220918637.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集液盒组件和电器设备
- 下一篇:一种分布式海水二氧化碳捕集装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的