[实用新型]一种高压大功率半导体激光光控晶闸管

说明书

本实用新型公开了一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤，所述晶闸管本体包括壳体，所述壳体内部开设有芯片腔，芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路；所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。本实用新型公开的高压大功率半导体激光光控晶闸管工作过程较普通晶闸管工作时无须接通额外的触发电平，从而避免了高压电流通过触发回路返回到触发器上，导致人身伤亡事故以及触发器损坏的发生，使用时只要激光能量及激光光纤的长度足够就可以轻松实现远程操作。

技术领域

本实用新型具体涉及高压大功率电力电子领域，具体是一种高压大功率半导体激光光控晶闸管。

背景技术

光控晶闸管LTT是在普通的电触发晶闸管ETT的基础上发展起来的元器件,其电气性能与ETT完全一致。光控晶闸管LTT与普通的ETT—祥，LTT技术可应用于高压直流输电系统HVDC和柔性交流输电系FACTS等的晶闸管阀体之中。目前应用的光触发晶闸管，存在触发门极数量少、通过电流及电压较小等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，以解决上述背景技术中提出目前应用的光触发晶闸管，存在触发门极数量少、通过电流及电压较小等问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种高压大功率半导体激光光控晶闸管，包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤，所述晶闸管本体包括壳体，所述壳体内部开设有芯片腔，芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路；所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。

作为本实用新型进一步的方案：所述晶闸管本体位于壳体的上下两侧分别设置有上盖和下盖，上盖和下盖均由散热材料制成。

作为本实用新型再进一步的方案：所述上盖和下盖均采用铜镀镍制成所述壳体采用陶瓷材料制成。

作为本实用新型再进一步的方案：所述晶闸管本体中还设置有与芯片连接的阴极极片和阳极极片。

作为本实用新型再进一步的方案：所述上盖和下盖的内部均设置有散热机构，所述散热机构包括安装板和若干均匀安装在安装板上的散热翅片，所述安装板的底部与阴极极片或阳极极片连接，阴极极片或阳极极片与安装板的下表面紧贴。

作为本实用新型再进一步的方案：若干所述的散热翅片呈圆形分布在安装板的上表面。

作为本实用新型再进一步的方案：所述安装板、阴极极片和阳极极片上均开设有安装孔，安装板与阴极极片或阳极极片通过螺栓穿过安装孔与螺母配合连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型公开的高压大功率半导体激光光控晶闸管工作过程较普通晶闸管工作时无须接通额外的触发电平，从而避免了高压电流通过触发回路返回到触发器上，导致人身伤亡事故以及触发器损坏的发生，使用时只要激光能量及激光光纤的长度足够就可以轻松实现远程操作。

附图说明

图1为高压大功率半导体激光光控晶闸管的结构示意图。

图2为高压大功率半导体激光光控晶闸管实施例1中晶闸管本体的剖视图。

图3为高压大功率半导体激光光控晶闸管实施例2中晶闸管本体的剖视图。

图4为高压大功率半导体激光光控晶闸管中散热机构的侧视图。

图5为高压大功率半导体激光光控晶闸管中散热机构的俯视图。

图6为高压大功率半导体激光光控晶闸管使用方法的流程图。

图中1-晶闸管本体、11-上盖、12-下盖、13-芯片腔、14-光路、2-光纤、3-芯片、4-阴极极片、5-阳极极片、6-散热机构、61-安装板、62-散热翅片、63-固定件、64-接线端子。