[实用新型]一种高压大功率半导体激光光控晶闸管有效
申请号: | 202220918637.9 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN217387182U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 黄曹斌;聂强;任成贤 | 申请(专利权)人: | 四川两用技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/167 | 分类号: | H01L31/167;H01L23/367 |
代理公司: | 合肥上博知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人: | 张果果 |
地址: | 621000 四川省绵阳市绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 大功率 半导体 激光 光控 晶闸管 | ||
1.一种高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,包括晶闸管本体以及为所述晶闸管本体提供光信号的光纤,所述晶闸管本体包括壳体,所述壳体内部开设有芯片腔,芯片腔中设置有芯片以及与所述芯片连接的光路;所述光纤穿过壳体伸入芯片腔的内部并与光路连接。
2.根据权利要求1所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,所述晶闸管本体位于壳体的上下两侧分别设置有上盖和下盖,上盖和下盖均由散热材料制成。
3.根据权利要求2所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,所述上盖和下盖均采用铜镀镍制成,所述壳体采用陶瓷材料制成。
4.根据权利要求3所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,所述晶闸管本体中还设置有与芯片连接的阴极极片和阳极极片。
5.根据权利要求4所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,所述上盖和下盖的内部均设置有散热机构,所述散热机构包括安装板和若干均匀安装在安装板上的散热翅片,所述安装板的底部与阴极极片或阳极极片连接,阴极极片或阳极极片与安装板的下表面紧贴。
6.根据权利要求5所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,若干所述的散热翅片呈圆形分布在安装板的上表面。
7.根据权利要求6所述的高压大功率半导体激光光控晶闸管,其特征在于,所述安装板、阴极极片和阳极极片上均开设有安装孔,安装板与阴极极片或阳极极片通过螺栓穿过安装孔与螺母配合连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的