[实用新型]Dome盖和薄膜沉积设备有效
申请号: | 202220784077.2 | 申请日: | 2022-04-06 |
公开(公告)号: | CN217086535U | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 朱鹏;曹乐;张建康 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;C23C16/458 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 顾丹丽 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种Dome盖。该Dome盖上设置有凹槽,与该Dome盖配合使用的卡扣在锁住该Dome盖时,卡扣的抵压端位于该凹槽内并抵靠凹槽的侧壁。由于凹槽对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制,可以防止卡扣水平旋转滑出,在卡扣不旋转滑出的前提下,可保证对Dome盖稳定施压,从而在Dome高速旋转时,Dome盖不会转动,从而可以避免Dome盖带动晶片在定位环内转动的问题,进而可以减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕,提高产品质量。本实用新型还提供一种薄膜沉积设备,其包括上述的Dome盖以及与Dome盖配合使用的卡扣。 | ||
搜索关键词: | dome 薄膜 沉积 设备 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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