[实用新型]Dome盖和薄膜沉积设备有效
| 申请号： | 202220784077.2 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN217086535U | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朱鹏;曹乐;张建康 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dome 薄膜 沉积 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种Dome盖，其特征在于，所述Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。
2.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽为一圈环绕所述Dome盖的环槽。
3.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽设有一个或多个，每个所述凹槽均与卡扣一一对应配合。
4.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽位于所述Dome盖的边缘区域。
5.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽的侧壁为圆弧面。
6.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽的深度为0.5mm～1mm；所述凹槽的宽度为5mm～9mm。
7.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述Dome盖在装入定位环中时，所述定位环的上表面高于所述Dome盖的顶面，或者，所述定位环的上表面与所述Dome盖的顶面齐平。
8.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述Dome盖的厚度为0.7mm～0.9mm。
9.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述Dome盖为冲压一体成型。
10.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求9任意一项所述的Dome盖以及与所述Dome盖配合使用的卡扣。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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