[实用新型]Dome盖和薄膜沉积设备

说明书

本实用新型提供一种Dome盖。该Dome盖上设置有凹槽，与该Dome盖配合使用的卡扣在锁住该Dome盖时，卡扣的抵压端位于该凹槽内并抵靠凹槽的侧壁。由于凹槽对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制，可以防止卡扣水平旋转滑出，在卡扣不旋转滑出的前提下，可保证对Dome盖稳定施压，从而在Dome高速旋转时，Dome盖不会转动，从而可以避免Dome盖带动晶片在定位环内转动的问题，进而可以减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。本实用新型还提供一种薄膜沉积设备，其包括上述的Dome盖以及与Dome盖配合使用的卡扣。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种Dome盖以及包括该Dome盖的薄膜沉积设备。

背景技术

薄膜沉积设备例如化学气相沉积设备，是在晶片上制备薄膜的核心设备，尤其在制备超晶格、量子阱等方面具有明显优势，是现今信息产业化、国防高新化发展形势下，不可或缺的战略性高技术半导体设备。

薄膜沉积设备通常包括Dome(锅仔)，Dome即为沉膜腔体，晶片在Dome中形成薄膜。图1为一种薄膜沉积设备的局部示意图。该薄膜沉积设备中，如图1所示，Dome中设置有多个定位环10(ring)，晶片(wafer)放置在定位环10内，在进行镀膜生产时，还需在晶片上设置Dome盖11(Dome cover)以固定晶片，Dome盖11也放置在定位环10内，与Dome盖11配合使用的卡扣12抵压Dome盖11以固定Dome盖11。

但是，现有的Dome盖11在使用时，容易在Dome高速旋转时旋转，从而带动晶片在定位环10内旋转，使得晶片边缘容易被蹭伤和产生摩擦痕，影响晶片的质量。现有的Dome盖急需改进。

实用新型内容

本实用新型的目的之一是提供一种Dome盖和一种薄膜沉积设备，可以改善Dome盖在使用时旋转的问题，减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。

为了实现上述目的，本实用新型一方面提供一种Dome盖。所述Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。

可选的，所述凹槽为一圈环绕所述Dome盖的环槽。

可选的，所述凹槽设有一个或多个，每个所述凹槽均与卡扣一一对应配合。

可选的，所述凹槽位于所述Dome盖的边缘区域。

可选的，所述凹槽的侧壁为圆弧面。

可选的，所述凹槽的深度为0.5mm～1mm；所述凹槽的宽度为5mm～9mm。

可选的，所述Dome盖在装入定位环中时，所述定位环的上表面高于所述Dome盖的顶面，或者，所述定位环的上表面与所述Dome盖的顶面齐平。

可选的，所述Dome盖的厚度为0.7mm～0.9mm。

可选的，所述Dome盖为冲压一体成型。

本实用新型的另一方面还提供一种薄膜沉积设备，包括上述的Dome盖以及与所述Dome盖配合使用的卡扣。

本实用新型的Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。本申请采用凹槽的设计，将卡扣的抵压端设置在凹槽内，卡扣抵压端向外旋转时，受到凹槽的限制，从而对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制，进而防止了卡扣水平旋转滑出，在卡扣不旋转滑出的前提下，可保证对Dome盖稳定施压，因此在Dome高速旋转时，Dome盖不会转动，从而可以避免Dome盖带动晶片在定位环内转动的问题，进而可以减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。