[实用新型]一种用于生长碳化硅晶体的坩锅有效

专利信息
申请号: 202220525063.9 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN217149398U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 贺贤汉;赖章田;陈有生;张城 申请(专利权)人: 上海申和投资有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 代理人: 李坤
地址: 201900 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型属于坩锅技术领域,尤其为一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,包括保温筒、坩埚主体、和电热模块,所述保温筒的内壁上开设有内螺旋槽,所述坩埚主体的外轮廓与保温筒的内轮廓相匹配,所述坩埚主体的外壁上设置有与内螺旋槽相匹配的外螺旋,所述电热模块设置在保温筒的底壁上,所述电热模块的顶端设置有与其相贴合的热传导层,所述热传导层固定于坩埚主体的底端。该用于生长碳化硅晶体的坩锅,通过电热模块和热传导层的设置,能够对坩埚主体底端的硅晶体进行均匀加热,且通过内螺旋槽和外螺旋的设置,能够使得高温气体通过两者之间进行传输,同时可对保温筒和坩埚主体进行加热。
搜索关键词: 一种 用于 生长 碳化硅 晶体
【主权项】:
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