[实用新型]一种用于生长碳化硅晶体的坩锅有效

专利信息
申请号: 202220525063.9 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN217149398U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 贺贤汉;赖章田;陈有生;张城 申请(专利权)人: 上海申和投资有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 代理人: 李坤
地址: 201900 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 生长 碳化硅 晶体
【说明书】:

实用新型属于坩锅技术领域,尤其为一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,包括保温筒、坩埚主体、和电热模块,所述保温筒的内壁上开设有内螺旋槽,所述坩埚主体的外轮廓与保温筒的内轮廓相匹配,所述坩埚主体的外壁上设置有与内螺旋槽相匹配的外螺旋,所述电热模块设置在保温筒的底壁上,所述电热模块的顶端设置有与其相贴合的热传导层,所述热传导层固定于坩埚主体的底端。该用于生长碳化硅晶体的坩锅,通过电热模块和热传导层的设置,能够对坩埚主体底端的硅晶体进行均匀加热,且通过内螺旋槽和外螺旋的设置,能够使得高温气体通过两者之间进行传输,同时可对保温筒和坩埚主体进行加热。

技术领域

本实用新型涉及坩锅技术领域,具体为一种用于生长碳化硅晶体的坩锅。

背景技术

坩埚,一种主要用于对固态物体进行加热的容器,主要用于实验室、化学加工等领域,尤其是碳化硅晶体的制备,坩埚是必不可少的设备之一,随着社会的发展,许多新型的坩锅陆续投入市场。

但是,现有的装置在使用时,对于坩埚的加热效率较低,容易导致硅晶体受热不均匀以及温度较低,影响碳化硅晶体的生长制备,且现有的装置不方便对坩埚进行加固,在装置使用时,难免会出现装置震动的情况发生,容易导致坩埚在内部进行晃动,需要对坩埚进行锁定。

针对上述问题,急需在原有用于生长碳化硅晶体的坩锅的基础上进行创新设计。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,以解决上述背景技术中提出现有的用于生长碳化硅晶体的坩锅加热效率低下,不便于坩埚固定的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,包括保温筒、坩埚主体、和电热模块,所述保温筒的内壁上开设有内螺旋槽,所述坩埚主体的外轮廓与保温筒的内轮廓相匹配,所述坩埚主体的外壁上设置有与内螺旋槽相匹配的外螺旋,所述电热模块设置在保温筒的底壁上,所述电热模块的顶端设置有与其相贴合的热传导层,所述热传导层固定于坩埚主体的底端。

优选的,所述保温筒的外壁上设置有控制器,所述保温筒的内部设置有温度传感器,所述温度传感器和控制器之间电性连接,所述保温筒的内壁上设置有抽气泵,所述抽气泵和控制器电性连接,所述保温筒的两端分别设置有泄压模块和进气模块。

优选的,所述抽气泵的一端连通有传输导管,所述传输导管的另一端与保温筒的内部相连通。

优选的,所述坩埚主体的外壁上开设有限位槽,所述限位槽的内部设置有与其凹面内径相匹配的限位块,所述限位块的顶端固定连接有密封板,所述密封板与坩埚主体固定连接。

优选的,所述坩埚主体的表面上设置有容纳块,所述容纳块的内部贯穿有与其内径相匹配的L型安装块,所述L型安装块和容纳块的内壁上均水平贯穿有插接杆,所述L型安装块和容纳块的内壁上均开设有与插接杆外径相匹配的插孔。

优选的,所述插接杆的外壁上开设有锁紧凹口,所述锁紧凹口的内部贯穿有与其凹面内径相匹配的锁紧块,所述锁紧块的外壁上贯穿有与其升降配合的伸缩弹簧。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该用于生长碳化硅晶体的坩锅,加热效率较高,便于坩埚固定;

1.在使用该装置时,通过启动电热模块,进过上方与其贴合的热传导层将温度传递至坩埚主体的底端,对内部的硅晶体进行均匀加热,又由于坩埚主体的外轮廓与保温筒的内轮廓相匹配,且坩埚主体的外壁上设置有与内螺旋槽相匹配的外螺旋,使得伴随着保温筒的内部温度上升,空气受热膨胀,产生压力,将热气通过内螺旋槽和外螺旋进行向上输出,同时传输的热气对坩埚主体的外壁进行升温,方便对坩埚主体进行均匀加热,增加装置的加热效率,方便硅晶体的生长;

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