[实用新型]一种用于生长碳化硅晶体的坩锅有效

专利信息
申请号: 202220525063.9 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN217149398U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 贺贤汉;赖章田;陈有生;张城 申请(专利权)人: 上海申和投资有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 代理人: 李坤
地址: 201900 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 生长 碳化硅 晶体
【权利要求书】:

1.一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,包括保温筒(1)、坩埚主体(2)、和电热模块(3),其特征在于:所述保温筒(1)的内壁上开设有内螺旋槽(7),所述坩埚主体(2)的外轮廓与保温筒(1)的内轮廓相匹配,所述坩埚主体(2)的外壁上设置有与内螺旋槽(7)相匹配的外螺旋(8),所述电热模块(3)设置在保温筒(1)的底壁上,所述电热模块(3)的顶端设置有与其相贴合的热传导层(4),所述热传导层(4)固定于坩埚主体(2)的底端。

2.根据权利要求1所述的一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,其特征在于:所述保温筒(1)的外壁上设置有控制器(5),所述保温筒(1)的内部设置有温度传感器(6),所述温度传感器(6)和控制器(5)之间电性连接,所述保温筒(1)的内壁上设置有抽气泵(9),所述抽气泵(9)和控制器(5)电性连接,所述保温筒(1)的两端分别设置有泄压模块(20)和进气模块(21)。

3.根据权利要求2所述的一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,其特征在于:所述抽气泵(9)的一端连通有传输导管(10),所述传输导管(10)的另一端与保温筒(1)的内部相连通。

4.根据权利要求1所述的一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,其特征在于:所述坩埚主体(2)的外壁上开设有限位槽(11),所述限位槽(11)的内部设置有与其凹面内径相匹配的限位块(12),所述限位块(12)的顶端固定连接有密封板(13),所述密封板(13)与坩埚主体(2)固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,其特征在于:所述坩埚主体(2)的表面上设置有容纳块(14),所述容纳块(14)的内部贯穿有与其内径相匹配的L型安装块(15),所述L型安装块(15)和容纳块(14)的内壁上均水平贯穿有插接杆(16),所述L型安装块(15)和容纳块(14)的内壁上均开设有与插接杆(16)外径相匹配的插孔。

6.根据权利要求5所述的一种用于生长碳化硅晶体的坩锅,其特征在于:所述插接杆(16)的外壁上开设有锁紧凹口(17),所述锁紧凹口(17)的内部贯穿有与其凹面内径相匹配的锁紧块(18),所述锁紧块(18)的外壁上贯穿有与其升降配合的伸缩弹簧(19)。

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