[实用新型]终端结构、功率半导体器件及电子设备有效
| 申请号： | 202220432394.8 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN217361590U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 胡朗;刘家甫;高博;唐龙谷;胡飞;王欣;张金龙 | 申请（专利权）人： | 华为数字能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种功率半导体器件的终端结构，该终端结构包括依次叠设的衬底、外延层、第一隔离层、金属层和钝化层，衬底和外延层包括元胞区和终端区，第一隔离层位于终端区，金属层包括对应第一隔离层的第一部分和与之连接的第二部分，钝化层与第一隔离层接触以包覆第一部分，沿叠设方向，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。本申请还提供包含该终端结构的功率半导体器件及应用该功率半导体器件的电子设备。本申请通过将金属层对应第一隔离层的第一部分厚度减薄，有效减小了第一部分在温度循环/温度冲击的可靠性测试过程中发生的形变，减小了钝化层受到的挤压应力，进而降低钝化层发生开裂的风险，提高功率半导体器件的可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 结构 功率 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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