[实用新型]终端结构、功率半导体器件及电子设备

权利要求书

1.一种终端结构，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，叠设于所述衬底的表面，所述衬底与所述外延层包括元胞区和与所述元胞区连接的终端区；

第一隔离层，位于所述终端区；

金属层，叠设于所述第一隔离层的表面且延伸至所述外延层的表面上，所述金属层包括对应所述第一隔离层的第一部分和对应所述元胞区的第二部分，所述第二部分延伸至所述终端区并与所述第一部分连接；以及

钝化层，叠设于所述金属层远离所述外延层的表面上且延伸至所述第一部分的侧表面并与所述第一隔离层接触以包覆所述第一部分，

其中，沿叠设方向，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，沿所述叠设方向，所述第一部分远离所述第一隔离层的第一表面低于所述第二部分远离所述外延层的第二表面。

3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，沿所述叠设方向，所述第一部分远离所述第一隔离层的第一表面与所述第二部分远离所述外延层的第二表面平齐。

4.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，沿所述叠设方向，所述第一部分远离所述第一隔离层的第一表面与所述第二部分远离所述外延层的第二表面呈钝角。

5.根据权利要求2所述的终端结构，其特征在于，所述第一表面包括靠近所述第二表面的第一区域，所述第一区域包括第一倾斜面，所述第一倾斜面上任意一点的切线与所述第二表面呈钝角。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的终端结构，其特征在于，所述第一表面包括远离所述第二表面的第二区域，所述第二区域包括第二倾斜面，所述第二倾斜面上任意一点的切线与所述第一表面呈钝角。

7.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料为二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、硼磷硅玻璃(BPSG)、硅氧氮(SiON)或半绝缘多晶硅(SIPOS)。

8.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述钝化层包括依次叠设于所述金属层的表面的第二隔离层和第三隔离层，所述第二隔离层与所述第一隔离层接触以包覆所述第一部分，在对应所述第一部分远离所述第二部分的侧表面，所述第二隔离层与所述第三隔离层之间设有缓冲层。

9.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，所述第二隔离层或所述第三隔离层的材料均为二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、硼磷硅玻璃(BPSG)、硅氧氮(SiON)或半绝缘多晶硅(SIPOS)；

所述缓冲层的材料为旋涂硅玻璃。

10.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的终端结构。

11.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和位于所述壳体内的如权利要求10所述的功率半导体器件。