[实用新型]半导体工艺设备

摘要

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：腔体结构、上电极组件、下电极组件及屏蔽绝缘组件；腔体结构上开设有两个并列设置的容置腔，每个容置腔内均设置有上电极组件及下电极组件；上电极组件与下电极组件配合形成反应区域，用于容置晶圆以执行工艺；屏蔽绝缘组件包括屏蔽罩、绝缘块及屏蔽板，屏蔽罩盖合于腔体结构的顶部，用于包围上电极组件及下电极组件；绝缘块设置于两个容置腔之间，并且位于两个下电极组件之间；屏蔽板的顶端与屏蔽罩的顶板连接，屏蔽板的底端与绝缘块连接，用于屏蔽两个上电极组件的相互作用。本申请实施例能减少由于射频能量引起的电磁辐射干扰，从而大幅提高相同批次的晶圆薄膜沉积质量。