[实用新型]半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：腔体结构、上电极组件、下电极组件及屏蔽绝缘组件；腔体结构上开设有两个并列设置的容置腔，每个容置腔内均设置有上电极组件及下电极组件；上电极组件与下电极组件配合形成反应区域，用于容置晶圆以执行工艺；屏蔽绝缘组件包括屏蔽罩、绝缘块及屏蔽板，屏蔽罩盖合于腔体结构的顶部，用于包围上电极组件及下电极组件；绝缘块设置于两个容置腔之间，并且位于两个下电极组件之间；屏蔽板的顶端与屏蔽罩的顶板连接，屏蔽板的底端与绝缘块连接，用于屏蔽两个上电极组件的相互作用。本申请实施例能减少由于射频能量引起的电磁辐射干扰，从而大幅提高相同批次的晶圆薄膜沉积质量。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

目前，基于表面自限制、自饱和吸附反应，原子层沉积(AtomicLayer Deposition，ALD)技术拥有良好的表面控制性，凭借大面积均匀性、优异的三维共形性，成为了半导体制造业中非常重要的镀膜技术。ALD包括加热(Thermal ALD)与等离子体增强(PlasmaEnhancedALD)两种方式，其中PEALD由于反应过程中等离子体充满了大量的活性基团，可以降低腔室的整体温度、提高沉积效率和扩大反应源的种类，应用范围更加广泛。

为了应对当前与日俱增的微电子和纳米器件产品需求，现有的PEALD设备从单腔室发展为双腔室、四腔室来扩大产能。出于成本和体积考虑，PEALD多腔室设备中各个腔室间共用许多金属部件与气路系统，但每个腔室都单独设置有射频回路系统，由于多腔室之间设计比较紧凑，因此各腔室间的射频回路系统距离较近，在工艺过程中容易出现射频能量的损耗和相互串扰，造成不同腔室的工艺结果一致性较差，匹配程度较低，影响相同批次产品的薄膜沉积质量等问题。

实用新型内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备，用以解决现有技术存在的工艺结果一致性较差以及薄膜沉积质量不佳的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括：腔体结构、上电极组件、下电极组件及屏蔽绝缘组件；所述腔体结构上开设有两个并列设置的容置腔，每个所述容置腔内均设置有所述上电极组件及所述下电极组件；所述上电极组件与所述下电极组件配合形成反应区域，用于容置晶圆以执行工艺；所述屏蔽绝缘组件包括屏蔽罩、绝缘块及屏蔽板，所述屏蔽罩盖合于所述腔体结构的顶部，用于包围所述上电极组件及所述下电极组件；所述绝缘块设置于两个所述容置腔之间，并且位于两个所述下电极组件之间；所述屏蔽板的顶端与所述屏蔽罩的顶板连接，所述屏蔽板的底端与所述绝缘块连接，用于屏蔽两个上电极组件的相互作用。

于本申请的一实施例中，所述上电极组件包括电极引入板、绝缘盘及加热带，所述电极引入板用于与一射频电源连接，以将射频引入所述反应区域；所述绝缘盘叠置于所述电极引入板上，用于屏蔽所述电极引入板的射频能量；所述加热带叠置于所述绝缘盘上，用于对所述电极引入板进行加热。

于本申请的一实施例中，所述加热带包括多个子加热带，多个所述子加热带均为扇形结构，并且沿所述绝缘盘的周向均匀且间隔排布，任意两相邻的所述子加热带之间具有预留的安装间隙。

于本申请的一实施例中，所述绝缘块的顶面与所述电极引入板的顶面平齐设置，或者所述绝缘块的顶面高于所述电极引入板的顶面；两个所述屏蔽板沿所述容置腔的排列方向并列设置，并且两个所述屏蔽板之间具有一预设间隙。

于本申请的一实施例中，所述上电极组件还包括有连接柱及绝缘套筒，所述连接柱的一端位于所述安装间隙内，并且与所述电极引入板连接，另一端穿过所述屏蔽罩后与一射频电源连接；所述绝缘套筒包覆于所述连接柱外周，并且一端顶抵于所述电极引入板上，另一端伸出所述屏蔽罩外侧。