[实用新型]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体结构、上电极组件、下电极组件及屏蔽绝缘组件；

所述腔体结构上开设有两个并列设置的容置腔，每个所述容置腔内均设置有所述上电极组件及所述下电极组件；

所述上电极组件与所述下电极组件配合形成反应区域，用于容置晶圆以执行工艺；

所述屏蔽绝缘组件包括屏蔽罩、绝缘块及屏蔽板，所述屏蔽罩盖合于所述腔体结构的顶部，用于包围所述上电极组件及所述下电极组件；所述绝缘块设置于两个所述容置腔之间，并且位于两个所述下电极组件之间；所述屏蔽板的顶端与所述屏蔽罩的顶板连接，所述屏蔽板的底端与所述绝缘块连接，用于屏蔽两个上电极组件的相互作用。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述上电极组件包括电极引入板、绝缘盘及加热带，所述电极引入板用于与一射频电源连接，以将射频引入所述反应区域；所述绝缘盘叠置于所述电极引入板上，用于屏蔽所述电极引入板的射频能量；所述加热带叠置于所述绝缘盘上，用于对所述电极引入板进行加热。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热带包括多个子加热带，多个所述子加热带均为扇形结构，并且沿所述绝缘盘的周向均匀且间隔排布，任意两相邻的所述子加热带之间具有预留的安装间隙。

4.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述绝缘块的顶面与所述电极引入板的顶面平齐设置，或者所述绝缘块的顶面高于所述电极引入板的顶面；两个所述屏蔽板沿所述容置腔的排列方向并列设置，并且两个所述屏蔽板之间具有一预设间隙。

5.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述上电极组件还包括有连接柱及绝缘套筒，所述连接柱的一端位于所述安装间隙内，并且与所述电极引入板连接，另一端穿过所述屏蔽罩后与一射频电源连接；所述绝缘套筒包覆于所述连接柱外周，并且一端顶抵于所述电极引入板上，另一端伸出所述屏蔽罩外侧。

6.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括有远程等离子源、传输管路及绝缘部件，所述远程等离子源设置于所述屏蔽罩外侧，所述传输管路的一端与所述远程等离子源连接，另一端分为两个支路且分别通过所述绝缘部件与所述电极引入板连接，用于非工艺时向所述反应区域内输送等离子体，以对所述反应区域内裸露的零部件进行清洗；所述绝缘部件穿过所述绝缘盘的中空部分，且嵌套于所述电极引入板内。

7.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括气体输送管路，所述气体输送管路的一端与所述传输管路连接，另一端与气源连接，用于在工艺时通过所述支路向所述反应区域内输送工艺气体。

8.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述上电极组件还包括有匀流板，所述匀流板叠置于所述电极引入板的底部，用于对所述工艺气体进行匀流。

9.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述气体输送管路包括连接管及阀门，两个所述连接管分别与两个所述支路连接，两个所述阀门分别设置于两个所述连接管上，用于选择性导通或关断所述连接管。

10.如权利要求1至9的任一所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述下电极组件包括基座、限位环及承载环，所述限位环及所述承载环均为绝缘材质制成，所述限位环环绕所述基座的外周设置，用于与所述基座及所述上电极组件配合形成所述反应区域；所述承载环叠置于所述限位环上，用于承载所述上电极组件。