[发明专利]一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法在审
| 申请号： | 202211707749.0 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115954289A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张力;何洪文 | 申请（专利权）人： | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 徐康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，涉及多芯片堆叠距离测量方法技术领域；为了更方便高效的测量；具体包括如下步骤：晶圆在设计RDL布线时，在边缘空白区域设计RDL布线位置；在设计位置增加2条RDL布线作为距离识别点；堆叠DIE1；堆叠DIE2；观察DIE2的边缘是否在DIE1两个距离识别点中间，是则转入S7步骤，否则转入S6步骤；判定DIE2位置偏移；堆叠合格。本发明不需要额外测量设备，只需要通过显微镜观察来判断位置是否偏移，适合大批量生产的检查，检查效率高；本发明直接在设计RDL时同步设计距离识别点，不增加任何RDL工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 rdl 识别 芯片 堆叠 距离 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
