[发明专利]一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法

权利要求书

1.一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：晶圆在设计RDL布线时，在边缘空白区域设计RDL布线位置；

S2：在设计位置增加2条RDL布线作为距离识别点；

S3：堆叠DIE1；

S4：堆叠DIE2；

S5：观察DIE2的边缘是否在DIE1两个距离识别点中间，是则转入S7步骤，否则转入S6步骤；

S6：判定DIE2位置偏移；

S7：堆叠合格。

2.根据权利要求1所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S1、S2步骤中，设定DIE1一侧边缘与DIE2一侧边缘之间的标准间距为L1，2条RDL布线的中心位置到芯片边缘距离为L2，2条RDL布线的间距为X，其中，L1＝L2。

3.根据权利要求2所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S4步骤中，堆叠DIE2时，设定DIE1一侧边缘与DIE2一侧边缘之间的实际堆叠间距为L3，其中L2-X/2＜L3＜L2+X/2为合格，超出该范围视为DIE2位置偏移。

4.根据权利要求3所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S1、S2步骤中，根据实际产品设计来设定合理的允许偏差D，即L2＝L1±D，偏差值D的范围在20-50um。

5.根据权利要求4所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S4步骤中，堆叠DIE2时，设定DIE1一侧边缘与DIE2一侧边缘之间的实际堆叠间距为L3，其中L2-X/2-D＜L3＜L2+X/2+D为合格，超出该范围视为DIE2位置偏移。

6.根据权利要求1所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S7步骤结束后，对下一个DIE进行堆叠，此时，位于最上方的原DIE2作为新的DIE1，下一个需要堆叠的DIE作为新的DIE2，并重复上述步骤。

7.一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：晶圆在设计RDL布线时，在边缘空白区域设计RDL布线位置；

S2：在设计位置增加多条RDL布线作为距离识别点，多个距离识别点呈线形等距分布；

S3：堆叠DIE1；

S4：堆叠DIE2；

S5：观察DIE2的边缘到DIE1的边缘之间暴露的距离识别点的数量；暴露的距离识别点数量符合设定数量则转入S7步骤，暴露的距离识别点数量不符合设定数量则转入S6步骤；

S6：判定DIE2位置偏移；

S7：堆叠合格。

8.根据权利要求7所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S1、S2步骤中，设定相邻距离识别点之间的标准间距为Y1，最边缘的距离识别点到芯片边缘距离为Y2，其中，Y1＝Y2。

9.根据权利要求8所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S4步骤中，堆叠DIE2时，设定DIE1一侧边缘与DIE2一侧边缘之间的实际堆叠间距为Y3，暴露的距离识别点数量标准值为N，其中Y1*N＜Y3＜Y1*(N+1)为合格，超出该范围视为DIE2位置偏移。

10.根据权利要求7所述的一种基于RDL识别点的多芯片堆叠距离测量方法，其特征在于，所述S7步骤结束后，对下一个DIE进行堆叠，此时，位于最上方的原DIE2作为新的DIE1，下一个需要堆叠的DIE作为新的DIE2，并重复上述步骤。