[发明专利]一种全硅基双面集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211697427.2 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116230670A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张翔鸥;孙翔宇;安宁;邓泽佳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 韩志英 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通过微凸点实现机械及电气互联。本申请的全硅基双面集成结构在缩小芯片集成面积的同时，摒弃了有机材料的使用，在同等电流通路截面积情况下，增大了散热面积，减小了封装结构引入的热阻，具有更强的散热能力；同时提高了器件之间的键合强度，实现将信号从双面器件两面的引出，更利于器件高密度的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全硅基 双面 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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