[发明专利]一种全硅基双面集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211697427.2 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116230670A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张翔鸥;孙翔宇;安宁;邓泽佳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 韩志英 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 全硅基 双面 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种全硅基双面集成结构，其特征在于，所述结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；
所述双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通过微凸点实现机械及电气互联。
2.根据权利要求1所述的全硅基双面集成结构，其特征在于，所述硅桥为单面布线结构，其下表面依次设置金属布线层、绝缘层及UBM层。
3.根据权利要求1所述的全硅基双面集成结构，其特征在于，所述TSV芯片的上下表面均依次设置金属布线层和绝缘层，其内部设置TSV。
4.根据权利要求1所述的全硅基双面集成结构，其特征在于，所述硅转接板的上下表面均依次设置金属布线层、绝缘层以及UBM层，其内部设置TSV。
5.一种全硅基双面集成结构的制备方法，其特征在于，所述方法：
S1：制备硅桥，在硅转接板的一个表面上按照设计好的电路版图制备金属布线层，接着在金属布线层上依据设计依次制备绝缘层和UBM层，最后在UBM层上生长金属微凸点，得到硅桥；
S2：制备TSV芯片，在硅转接板上制备TSV，之后在硅转接板上下表面上按照设计好的电路版图制备金属布线层，最后在金属布线层上依据设计制备绝缘层；
S3：制备硅转接板，在硅转接板上制备TSV，之后在硅转接板上下表面上按照设计好的电路版图制备金属布线层，接着在金属布线层表面依据设计制备绝缘层，最后在绝缘层开孔上制备UBM层，并在UBM层上生长金属微凸点；
S4：将双面器件及TSV芯片通过热压回流焊接倒装到硅桥上，后将带TSV芯片和双面器件的硅桥通过热压回流焊接倒装到硅转接板上。
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