[发明专利]一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法在审
| 申请号： | 202211650636.1 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116154036A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李晓东;程保义;铁剑锐;梁爽;欧伟;杜永超;肖志斌;李昂 | 申请（专利权）人： | 中电科蓝天科技股份有限公司;天津恒电空间电源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/054;H01L31/0216;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，属于半导体制造技术领域，其特征在于，包括：S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；S2、将掩膜材料与焊点粘接；S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；S4、从真空室内取出太阳电池；S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。通过采用上述技术方案，本发明能够缩减柔性砷化镓太阳电池工艺中光刻次数，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜法蒸镀 柔性 砷化镓 太阳电池 减反射膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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