[发明专利]一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法

说明书

本发明公开了一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，属于半导体制造技术领域，其特征在于，包括：S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；S2、将掩膜材料与焊点粘接；S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；S4、从真空室内取出太阳电池；S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。通过采用上述技术方案，本发明能够缩减柔性砷化镓太阳电池工艺中光刻次数，提高生产效率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法。

背景技术

柔性砷化镓太阳电池工艺共包含三次光刻工艺，第一次光刻工艺是制备上电极栅线，第二次工艺是制备电池外围隔离槽，第三次工艺是蒸镀减反射膜后腐蚀去除焊点处减反射膜，实现可焊互联。其中第二次光刻工艺和第三次光刻工艺采用套刻方式。

在柔性砷化镓太阳电池工艺中，得益于精细的光刻设备和光刻胶配套工艺，可以实现精细的图形制备。然而作为一种宏观器件，柔性砷化镓太阳电池器件工艺中不得不引入三次光刻工艺，其中对上述第三次光刻工艺的精度要求较低，一般200μm的精度即可以满足要求，而且第三次光刻的焊点一般较大，尺寸为毫米量级。

缩减光刻工艺次数，可以减少设备成本，减少工艺时长，从而减少器件成本,满足柔性砷化镓太阳电池日益增长的需求。

发明内容

本发明为解决公知技术中存在的技术问题，提供一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，用于缩减柔性砷化镓太阳电池工艺中光刻次数，提高生产效率。

本发明的目的是提供一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，包括：

S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；

S2、将掩膜材料与焊点粘接；

S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；

S4、从真空室内取出太阳电池；

S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；

S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；

S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。

优选地，S2具体为：选择采用涂敷光解粘接材料作为掩膜材料，采用机器吸盘吸附掩膜材料，将掩膜材料对准太阳电池的焊点，并施加压力，使得掩膜材料与焊点粘接。

优选地，所述涂敷光解粘接材料的掩膜材料为玻璃、陶瓷、硅片中的一种，厚度应超过100μm。

优选地，所述粘接材料厚度不应超过200μm。

优选的，粘接材料区域不大于掩膜材料区域，以减少胶材料受到镀膜材料轰击引起膜层质量变化的情况；

优选的，掩膜材料区域不大于焊点区域，避免影响电池效率。

优选地，S3具体为：在真空室中，蒸镀TiOx/AlOx双层减反射膜，控制整个蒸镀时基体温度不超过150℃。

优选地，S5中，若采用有机溶剂溶解，粘接材料层厚度应大于30μm；若采用光解，掩膜材料为透明的无机材料。

优选地，S6中，机器吸盘移除掩膜材料时，采用吸盘将电池晶圆固定。

本发明具有的优点和积极效果是：

1.缩减光刻工艺次数；

2.避免腐蚀液(光刻法必须引入腐蚀液腐蚀减反射膜)；