[发明专利]半导体结构及其制作方法以及电容器在审
| 申请号： | 202211642774.5 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115884672A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 曹瑞霞;胡杏;刘天建;李琳瑜 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 胡亮;浦彩华 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：第一电极，第一电极具有相对设置的第一端和第二端；第一介电层，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；第二电极，位于第一介电层上，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；其中，第二电极和第一介电层显露第一端，第一电极和第二电极通过第一介电层电隔离；第二电极靠近第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，第一台阶面的平面高度小于或者等于第二台阶面的平面高度；第一导电通道，位于第一端上，与第一端电连接；第二导电通道，位于第一台阶面上，与第一台阶面电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 以及 电容器 | ||
【主权项】：
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