[发明专利]半导体结构及其制作方法以及电容器

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一电极，所述第一电极具有相对设置的第一端和第二端；

第一介电层，覆盖所述第一电极的部分顶表面和所述第二端的侧面；

第二电极，位于所述第一介电层上，覆盖所述第一电极的部分顶表面和所述第二端的侧面；其中，所述第二电极和所述第一介电层显露所述第一端，所述第一电极和所述第二电极通过所述第一介电层电隔离；

所述第二电极靠近所述第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面的平面高度小于或者等于所述第二台阶面的平面高度；

第一导电通道，位于所述第一端上，与所述第一端电连接；

第二导电通道，位于所述第一台阶面上，与所述第一台阶面电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一台阶面与所述第一电极的顶表面在同一平面高度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层为台阶状，所述第一介电层的一部分位于所述第一台阶面下方。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二介电层，覆盖所述第一电极以及第二电极的外露表面；

其中，所述第一导电通道贯穿所述第一端上的所述第二介电层，所述第二导电通道贯穿所述第一台阶上的所述第二介电层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

半导体层，位于所述第一电极下；

第三介电层，位于所述第一电极和所述半导体层之间；所述第一电极通过所述第三介电层与所述半导体层电隔离。

6.一种电容器，其特征在于，包括：权利要求1至5任一项所述的半导体结构。

7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一电极，所述第一电极包括相对设置的第一端和第二端；

形成覆盖所述第一电极部分顶表面和所述第二端侧面的第一介电层；

在所述第一介电层上形成第二电极；其中，所述第二电极覆盖所述第一电极的部分顶表面和所述第二端的侧面；所述第二电极和所述第一介电层显露所述第一端，所述第一电极和所述第二电极通过所述第一介电层电隔离；所述第二电极靠近所述第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面的平面高度小于或者等于所述第二台阶面的平面高度；

在所述第一端上形成第一导电通道，所述第一导电通道与所述第一端电连接；

在所述第一台阶面上形成第二导电通道，所述第二导电通道与所述第一台阶面电连接。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一介电层和所述第二电极的方法包括：

形成覆盖所述第一电极顶表面和侧面的第一介电材料层；

形成覆盖所述第一介电材料层的第二电极材料层；

去除所述第一端顶表面和侧面上的所述第二电极材料层，以形成所述第二电极；其中，所述第二电极显露所述第一介电材料层；

去除所述第一端顶表面和侧面上的所述第一介电材料层，以形成所述第一介电层；其中，所述第一介电层显露所述第一电极。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

形成覆盖所述第一电极和所述第二电极的外露表面的第二介电层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一导电通道的方法包括：

形成贯穿所述第一端上的所述第二介电层的所述第一导电通道；

形成所述第二导电通道的方法包括：

形成贯穿所述第一端上的所述第二介电层的所述第二导电通道。