[发明专利]半导体结构及其制作方法以及电容器

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：第一电极，第一电极具有相对设置的第一端和第二端；第一介电层，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；第二电极，位于第一介电层上，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；其中，第二电极和第一介电层显露第一端，第一电极和第二电极通过第一介电层电隔离；第二电极靠近第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，第一台阶面的平面高度小于或者等于第二台阶面的平面高度；第一导电通道，位于第一端上，与第一端电连接；第二导电通道，位于第一台阶面上，与第一台阶面电连接。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法以及电容器。

背景技术

在集成电路中，会集成多种类型的器件，例如晶体管、二极管、电阻器或者电容器。电容器包括由介电层分隔的两个电极，在两个电极上可设置导电通道(例如，导电插塞)来施加控制电压。电容器可应用于诸如电子滤波器、模数转换器、存储器件、逻辑控制等电路或者器件中。

随着集成电路集成度的提高，电容器的电极以及介电层的厚度以及面积越来越小。由此带来的是，制作工艺难度的提高，以及制作良率的降低。例如，在制作导电通道时会应用到蚀刻开孔工艺，因为两个电极存在高度差，导致蚀刻深度也不同，会造成上部电极的过蚀刻，甚至会将介电层贯穿造成两个电极的短路，降低良率。如何提高制作良率成为亟待解决的问题。

发明内容

根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：

第一电极，所述第一电极具有相对设置的第一端和第二端；

第一介电层，覆盖所述第一电极的部分顶表面和所述第二端的侧面；

第二电极，位于所述第一介电层上，覆盖所述第一电极的部分顶表面和所述第二端的侧面；其中，所述第二电极和所述第一介电层显露所述第一端，所述第一电极和所述第二电极通过所述第一介电层电隔离；

所述第二电极靠近所述第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面的平面高度小于或者等于所述第二台阶面的平面高度；

第一导电通道，位于所述第一端上，与所述第一端电连接；

第二导电通道，位于所述第一台阶面上，与所述第一台阶电连接。

在一些实施例中，所述第一台阶面与所述第一电极的顶表面在同一平面高度。

在一些实施例中，所述第一介电层为台阶状，所述第一介电层的一部分位于所述第一台阶面下方。

在一些实施例中，所述半导体结构还包括：

第二介电层，覆盖所述第一电极以及第二电极的外露表面；

其中，所述第一导电通道贯穿所述第一端上的所述第二介电层，所述第二导电通道贯穿所述第一台阶上的所述第二介电层。

在一些实施例中，所述半导体结构还包括：

半导体层，位于所述第一电极下；

第三介电层，位于所述第一电极和所述半导体层之间；所述第一电极通过所述第三介电层与所述半导体层电隔离。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种电容器，包括上述实施例所述的半导体结构。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种半导体结构的制作方法，包括：

形成第一电极，所述第一电极包括相对设置的第一端和第二端；

形成覆盖所述第一电极部分顶表面和所述第二端侧面的第一介电层；