[发明专利]具有高相对介电常数层的集成高压电子器件在审
| 申请号： | 202211583230.6 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116259471A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | E·顿切尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/02;H01F41/00;H01G4/06;H01G4/224;H01G13/00;H01L23/64;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有高相对介电常数层的集成高压电子器件。一种磁性组件(110)包括具有核心介电层(161)、介电堆叠层(162、163、164、165)、高介电常数介电层(181、182)以及第一和第二图案化导电特征(109、111)的多层级层压或金属化结构(112)，介电堆叠层(162、163、164、165)具有第一相对介电常数，高介电常数介电层(181、182)在第一图案化导电特征(109)和介电堆叠层(162)或核心介电层(161)中的一个之间延伸并与其接触，高介电常数介电层(181、182)具有第二相对介电常数，并且第二相对介电常数至少是第一相对介电常数的1.5倍，以减轻隔离产品中的介电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相对 介电常数 集成 高压 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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