[发明专利]具有高相对介电常数层的集成高压电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

封装结构；以及

所述封装结构中的磁性组件，所述磁性组件包括多层级层压或金属化结构，所述多层级层压或金属化结构具有核心介电层、介电堆叠层、高介电常数介电层和导电特征；

所述核心介电层和所述介电堆叠层在正交的第一方向和第二方向的相应平面中延伸，并且沿着与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向堆叠，并且所述介电堆叠层具有第一相对介电常数；

所述导电特征形成在所述介电堆叠层中的相应的一个或一对上或之间的金属层中，并且所述导电特征包括第一图案化导电结构和第二图案化导电结构；以及

所述高介电常数介电层在所述第一图案化导电特征与所述介电堆叠层或所述核心介电层中的一个之间延伸并与其接触，所述高介电常数介电层具有第二相对介电常数，并且所述第二相对介电常数是所述第一相对介电常数的至少1.5倍。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二相对介电常数为6以上且500以下。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二相对介电常数为10以上且20以下。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述高介电常数介电层沿所述第三方向具有5μm以上且20μm以下的最小厚度。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述磁性组件包括第二高介电常数介电层，所述第二高介电常数介电层在所述第二图案化导电特征与所述介电堆叠层或所述核心介电层中的另一个之间延伸并与其接触，所述第二高介电常数介电层具有所述第二相对介电常数。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中：

所述第一图案化导电特征具有多匝以形成第一绕组；

所述第二图案化导电特征具有多匝以形成第二绕组，并且

所述核心介电层沿着所述第三方向定位在所述第一图案化导电特征和所述第二图案化导电特征之间。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述磁性组件包括多层级层压结构。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述高介电常数介电层包括具有填料颗粒的聚合物材料，并且所述填料颗粒包括氧化铝、二氧化锆、钛酸钡、锆酸钡或氧化铪。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述磁性组件包括半导体管芯的多层级金属化结构。

10.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述高介电常数介电层包括氧化铪、二氧化钛、氧化铝或二氧化锆。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述第一图案化导电特征具有多匝以形成第一绕组；

所述第二图案化导电特征具有多匝以形成第二绕组，并且

所述核心介电层沿着所述第三方向定位在所述第一图案化导电特征和所述第二图案化导电特征之间。

12.一种磁性组件，包括：

多层级层压或金属化结构，其具有核心介电层、介电堆叠层、高介电常数介电层和导电特征；

所述核心介电层和所述介电堆叠层在正交的第一方向和第二方向的相应平面中延伸，并且沿着与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向堆叠，并且所述介电堆叠层具有第一相对介电常数；

所述导电特征形成在所述介电堆叠层中的相应的一个或一对上或之间的金属层中，并且所述导电特征包括第一图案化导电结构和第二图案化导电结构；以及

所述高介电常数介电层在所述第一图案化导电特征与所述介电堆叠层或所述核心介电层中的一个之间延伸并与其接触，所述高介电常数介电层具有第二相对介电常数，并且所述第二相对介电常数是所述第一相对介电常数的至少1.5倍。

13.根据权利要求12所述的磁性组件，其中所述第二相对介电常数为6以上且500以下。