[发明专利]半导体结构、半导体结构的制造方法及芯片

摘要

本发明实施例公开的半导体结构、半导体结构的制造方法及芯片，涉及半导体技术领域，便于高效、低成本解决天线效应违例的问题。所述半导体结构，包括：半导体衬底；第一MOS管，生长于所述有源区中，包括：源极、漏极及栅极，所述源极和漏极之间设有隔离层，所述隔离层为所述场区的一部分，所述栅极位于所述隔离层的上方，所述源极、漏极及隔离层形成MOM电容；所述源极和漏极分别连接至半导体衬底上，所述栅极连接至上方的电源网络上；物理单元，生长于所述有源区中，且与所述第一MOS管隔离设置，所述物理单元的一端与所述电源网络连接，所述物理单元的另一端连接至所述半导体衬底。本发明适用于芯片设计及制造场景中。