[发明专利]一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构在审
| 申请号： | 202211545284.3 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116043327A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;徐文立;沈磊 | 申请（专利权）人： | 宁波恒普真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/14;C23C16/46;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 郑粟文 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室底部设置有反应室，且进气室与反应室相连通；基座位于反应室内下部，且基座位于进气室正下方；基座顶部用于承托晶片；基座内设置有基座热场，基座热场用于对晶片加热；反应室底部设置有排气口；还包括顶端伸入基座的进气管，进气管的底端与一供气机构相连通；基座的底部设置有出气口。横向开口进气管和纵向开口进气管，分别对石墨电极和石英固定板的连接处以及发热体进行吹扫，降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命，同时保证成膜过程中热场的稳定性，降低更换频率可提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 延长 相生 基座 内热 寿命 结构 | ||
【主权项】：
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