[发明专利]一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构在审

专利信息
申请号: 202211545284.3 申请日: 2022-12-05
公开(公告)号: CN116043327A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 刘鹏;徐文立;沈磊 申请(专利权)人: 宁波恒普真空科技股份有限公司
主分类号: C30B25/10 分类号: C30B25/10;C30B25/14;C23C16/46;C23C16/455
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 郑粟文
地址: 315300 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 延长 相生 基座 内热 寿命 结构
【说明书】:

发明公开一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构,涉及半导体生产设备技术领域,包括进气室、反应室和基座;进气室底部设置有反应室,且进气室与反应室相连通;基座位于反应室内下部,且基座位于进气室正下方;基座顶部用于承托晶片;基座内设置有基座热场,基座热场用于对晶片加热;反应室底部设置有排气口;还包括顶端伸入基座的进气管,进气管的底端与一供气机构相连通;基座的底部设置有出气口。横向开口进气管和纵向开口进气管,分别对石墨电极和石英固定板的连接处以及发热体进行吹扫,降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命,同时保证成膜过程中热场的稳定性,降低更换频率可提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体生产设备技术领域,特别是涉及一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构。

背景技术

立式成膜装置被广泛应用于半导体行业,制备晶片时具有高效的生产速率和较好的成膜质量。成膜时晶片位于反应室下部随基座高速旋转,基座内外热场加热晶片至反应温度且成膜过程中稳定供给原料气体。

成膜装置生产半导体晶片通常为连续成膜工艺,确保成膜过程中各项部件稳定可靠。成膜工艺过程中反应室内呈常压或负压状态,晶片放置于基座上,随基座高速旋转,加热晶片同时朝晶片衬底通入反应气体。该过程中反应气体扩散进入基座内部于热场发热体表面沉积。

为提高成膜质量及效率,部分成膜装置具备反应室内蚀刻功能,升温并通入蚀刻气体去除基板表面沉积。蚀刻气体可能腐蚀发热体。

发明内容

为解决以上技术问题,本发明提供一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构,降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命,同时保证成膜过程中热场的稳定性,降低更换频率可提高生产效率。

为实现上述目的,本发明提供了如下方案:

本发明提供一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构,包括进气室、反应室和基座;所述进气室底部设置有所述反应室,且所述进气室与所述反应室相连通;所述基座位于所述反应室内下部,且所述基座位于所述进气室正下方;所述基座顶部用于承托晶片;所述基座内设置有基座热场,所述基座热场用于对所述晶片加热;所述反应室底部设置有排气口;还包括顶端伸入所述基座的进气管,所述进气管的底端与一供气机构相连通;所述基座的底部设置有出气口。

可选的,所述进气管包括横向开口进气管和纵向开口进气管;所述横向开口进气管的顶端为封口设置,所述横向开口进气管的顶端侧壁上设置有横向开口;所述纵向开口进气管的顶端为开口设置;所述横向开口进气管和所述纵向开口进气管的底端与所述供气机构相连通。

可选的,所述基座顶部设置有基板,所述基板用于承托所述晶片。

可选的,所述基座热场包括发热体,所述发热体设置于所述基板下方。

可选的,所述发热体通过石墨电极与石英固定板相连接,所述石英固定板设置于所述基座内底部;所述横向开口进气管和所述纵向开口进气管均贯穿所述石英固定板。

可选的,所述横向开口进气管用于吹扫所述石墨电极与所述石英固定板的连接处,所述纵向开口进气管用于吹扫所述发热体。

可选的,所述基座底部设置有下转台,所述出气口设置于所述下转台上。

可选的,所述下转台与一旋转轴相连接,所述旋转轴为空心轴,所述进气管设置于所述旋转轴内。

本发明相对于现有技术取得了以下技术效果:

本发明中的用于延长气相生长基座内热场寿命的结构,在基座内设置横向开口进气管和纵向开口进气管,分别对石墨电极和石英固定板的连接处以及发热体进行吹扫,通入保护气体使基座内外分离,相较覆盖件遮挡更为全面有效。保持基座内保护气体向外溢出,减少外部反应气体进入基座内部,从而降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命,同时保证成膜过程中热场的稳定性,降低更换频率可提高生产效率。

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