[发明专利]一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法在审
| 申请号： | 202211522323.8 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115810568A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陶为银;蔡正道;王鹏;闫兴 | 申请（专利权）人： | 河南通用智能装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 苏州佳捷天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 32516 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法，包括机架，还包括设置在机架上的冷扩机构和热缩机构，所述冷扩机构和热缩机构之间设置有用于将冷扩机构中的产品转移至热缩机构中的转移机构。优点：通过设置冷扩机构，利用DAF膜在低温环境下脆化的特性，在低温环境下进行扩展，能够实现高品质的DAF膜的分离。热缩机构的设计能够消除在冷扩机构中扩展的UV膜外围所产生的松弛，不必重新更换钢环来安装经过伸展后的UV膜，可直接将产品送入贴片工序。解决了全切割时DAF膜毛边问题，有效的节约了成本、提高工作效率以及晶粒的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆冷扩热缩 装置 及其 冷扩热缩 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
