[发明专利]一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法在审

专利信息
申请号: 202211522323.8 申请日: 2022-11-30
公开(公告)号: CN115810568A 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 陶为银;蔡正道;王鹏;闫兴 申请(专利权)人: 河南通用智能装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/78
代理公司: 苏州佳捷天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 32516 代理人: 李阳
地址: 450000 河南省郑州市高新技术产业*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆冷扩热缩 装置 及其 冷扩热缩 方法
【说明书】:

发明公开了一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法,包括机架,还包括设置在机架上的冷扩机构和热缩机构,所述冷扩机构和热缩机构之间设置有用于将冷扩机构中的产品转移至热缩机构中的转移机构。优点:通过设置冷扩机构,利用DAF膜在低温环境下脆化的特性,在低温环境下进行扩展,能够实现高品质的DAF膜的分离。热缩机构的设计能够消除在冷扩机构中扩展的UV膜外围所产生的松弛,不必重新更换钢环来安装经过伸展后的UV膜,可直接将产品送入贴片工序。解决了全切割时DAF膜毛边问题,有效的节约了成本、提高工作效率以及晶粒的良品率。

技术领域

本发明涉及去晶圆制造设备领域,具体为一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。

目前的晶圆采用全切割的方式,即将晶圆以及晶圆的DAF膜一同进行切割。全切割后,晶圆下表面的DAF膜会因为切割存在毛边,使得在贴片时或发生贴片不良。而DAF膜具有良好的低温脆性,低温下DAF膜分离或能减少毛边。

鉴于此,有必要提供一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法。

发明内容

本发明提供的一种晶圆冷扩热缩装置及其冷扩热缩方法,有效的解决了现有晶圆切割时产生DAF毛边的问题。

本发明所采用的技术方案是:一种晶圆冷扩热缩装置,包括机架,还包括设置在机架上的冷扩机构和热缩机构,所述冷扩机构和热缩机构之间设置有用于将冷扩机构中的产品转移至热缩机构中的转移机构。

进一步的是:所述冷扩机构包括底板、设置底板上的四个侧板、固定连接四个侧板上端的盖板、可升降的挡板以及驱动挡板升降的三号气缸,其中一个侧板开设有进料口,所述三号气缸设置在开设有进料口的侧板上,所述挡板用于封堵进料口,所述侧板、盖板402、挡板和底板形成腔体,所述腔体内设置有用于托载产品的托举板和用于顶膜的顶板,所述底板端面竖向设置有一号直线轴承和二号直线轴承,所述一号直线轴承内套设有上端与托举板固定连接的一号导柱,所述一号导柱下端面固定连接有一号板,所述底板下方设置有用于驱动一号板升降的一号升降动力源,所述托举板上设置有通孔,所述二号直线轴承内套设有与顶板固定连接的二号导柱,所述二号导柱下端面固定连接有二号板,所述底板下方设置有用于驱动二号板升降的二号动力源,所述顶板在二号动力源的驱动下可升降的通过通孔,所述腔体内还设置有卡板,所述卡板固定设置在托举板的上方,所述卡板上设置有与一号通孔对应的二号通孔。

进一步的是:所述顶板上设置有透明视窗,所述卡板的下端面上设置有凸起部,所述托举板的上端面设置有与凸起部适配的台阶部,所述台阶部沿一号通孔环向设置。

进一步的是:所述顶板、一号通孔和二号通孔均为圆形,所述顶板的圆心与一号通孔的圆心在同一竖轴上,所述一号升降动力源为一号气缸,所述二号升降动力源为二号气缸。

进一步的是:所述转移机构包括设置在冷扩机构和热缩机构之间的中转台、推移夹取组件以及旋转机械手。

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