[发明专利]一种efuse结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 202211513994.8 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116110878A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 宋慧芳;王刚宁;刘沙沙 | 申请（专利权）人： | 芯合电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H10B20/00;H10B99/00 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的efuse结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 efuse 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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