[发明专利]一种efuse结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种efuse结构，其特征在于，包括：晶圆，多晶硅和熔丝；

所述晶圆中设置有沟槽，所述沟槽中填充有第一氧化硅层；

所述晶圆上表面从下到上依次设置有第二氧化硅层和多晶硅层，所述第二氧化硅层和多晶硅层的宽度相同，且均小于所述晶圆上表面的宽度；

所述第二氧化硅层和多晶硅层的侧面设置有侧墙；

在所述侧墙外表面，晶圆上表面及多晶硅层部分上表面设置有第三氧化硅层；

在所述多晶硅层上表面无第三氧化硅的区域设置有熔丝。

2.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述熔丝为P型多晶硅金属硅化电阻。

3.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述熔丝设置在所述多晶硅中央位置。

4.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述多晶硅层的宽度为熔丝宽度的两倍。

5.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述第二氧化硅层，第三氧化硅层，多晶硅层和熔丝设置在第一氧化硅层正上方。

6.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述第一氧化硅层，第二氧化硅层，第三氧化硅层，多晶硅层和熔丝的中心点处于同一轴线上。

7.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述熔丝上表面低于所述第三氧化硅层上表面。

8.如权利要求1所述的一种efuse结构，其特征在于，所述多晶硅层的上表面宽度为熔丝宽度的3倍。

9.一种efuse结构的制备工艺，其特征在于，所述工艺用于制备如权利要求1至8任一项所述的efuse结构，具体包括以下步骤；

在晶圆的沟槽中填充第一氧化硅层，在所述晶圆上表面形成一层第二氧化硅层；

在所述第二氧化硅层上表面形成一层多晶硅；

对所述第一氧化硅层和多晶硅进行刻蚀直到所述第一氧化硅层和多晶硅层小于所述晶圆上表面宽度；

在所述多晶硅层两侧形成侧墙；

在所述多晶硅层上表面和晶圆上表面形成一层第三氧化硅层；

对所述多晶硅层上表面的部分第三氧化硅层进行刻蚀；

对所述多晶硅层上表面的刻蚀去除的第三氧化硅层区域形成熔丝。

10.如权利要求9所述的一种efuse结构的制备工艺，其特征在于，所述侧墙通过栅极侧墙自对准制备。