[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法有效
| 申请号： | 202211481979.X | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115602722B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;文雨;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区，其中，有源区和终端区均设置于半导体衬底上，终端区环绕有源区设置，终端区包括至少两个终端环，终端环上设置有压焊点，相邻的两个终端环相互独立或通过压焊点相互连接。本方案可以在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 终端 耐压 调整 方法 | ||
【主权项】：
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