[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法有效
| 申请号： | 202211481979.X | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115602722B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;文雨;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 终端 耐压 调整 方法 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区，所述有源区设置于所述半导体衬底上，所述终端区设置于所述半导体衬底上，且环绕所述有源区设置，所述终端区包括至少两个终端环，每个所述终端环上设置有压焊点，所述绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法包括：
通过调整相邻的两个所述终端环上的所述压焊点的连接关系，使相邻的两个所述终端环电位相互独立等效为两个有效终端环，或使相邻的两个所述终端环电位相同等效为一个有效终端环，以对所述终端区内的有效终端环个数进行调整。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点相互交错设置。
3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点之间的间距为50μm~100μm。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述终端环和所述压焊点之间具有介电层，所述介电层上设置有接触孔，所述压焊点和所述终端环通过所述接触孔连接。
5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述压焊点为矩形，所述压焊点的长和宽为20μm~100μm。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述终端环的宽度为5μm~50μm。
7.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，相邻的两个所述终端环之间的环间距为5μm~50μm。
8.如权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述终端环具有第二导电类型。
9.如权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述的第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
10.如权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
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