[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法

说明书

本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区，其中，有源区和终端区均设置于半导体衬底上，终端区环绕有源区设置，终端区包括至少两个终端环，终端环上设置有压焊点，相邻的两个终端环相互独立或通过压焊点相互连接。本方案可以在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。

而作为高压器件使用的绝缘栅双极型晶体管，通常需要在芯片外围设计终端区，为整个器件提供终端耐压。在实际应用中，由于终端环个数、宽度、间距和结深等参数均已固定，每个绝缘栅双极型晶体管具有固定的终端耐压。

目前，通常需要重新进行流片制作来实现对绝缘栅双极型晶体管终端耐压的调整，无法在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。

发明内容

本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管，可以在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。

本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：

半导体衬底；

有源区，所述有源区设置于所述半导体衬底上；

终端区，所述终端区设置于所述半导体衬底上，且环绕所述有源区设置，所述终端区包括至少两个终端环，所述终端环上设置有压焊点，相邻的两个所述终端环相互独立或通过所述压焊点相互连接。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点相互交错设置。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点之间的间距为50μm~100μm。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述终端环和所述压焊点之间具有介电层，所述介电层上设置有接触孔，所述压焊点和所述终端环通过所述接触孔连接。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述压焊点为矩形，所述压焊点的长和宽为20μm~100μm。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述终端环的宽度为5μm~50μm。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，相邻的两个所述终端环之间的环间距为5μm~50μm。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述终端环具有第二导电类型。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述的第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述半导体衬底为硅衬底。

综上，本申请提供的绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区。其中，所述有源区和所述终端区均设置于所述半导体衬底上，所述终端区环绕所述有源区设置，所述终端区包括至少两个终端环，所述终端环上设置有压焊点，相邻的两个所述终端环相互独立或通过所述压焊点相互连接。本方案可以通过调整相邻的两个终端环上的压焊点之间的连接关系，对有效终端环的个数进行调整，从而实现在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整的目的。

附图说明