[发明专利]插塞缺陷检测结构、存储器及插塞缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202211431559.0 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115862724A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 潘逢佳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 黄一磊 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种插塞缺陷检测结构、存储器及插塞缺陷检测方法，包括：衬底、至少两个检测有源区、至少两个检测栅极以及至少两个检测插塞，所述衬底包括冗余区，所述检测有源区形成于所述冗余区中，每个所述检测栅极跨越一个或者两个所述检测有源区，且每个所述检测栅极上方形成有一个所述检测插塞，所述检测插塞位于所述检测栅极与所述检测有源区相交处，缩短所述冗余区上的所述检测栅极的长度，利用电子束扫描的方式获得所有所述插塞的电压衬度图像，根据灰度值判断所述插塞是否出现缺陷，避免所述检测栅极引入误差，提高插塞缺陷检测的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 结构 存储器 方法 | ||
【主权项】：
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