[发明专利]插塞缺陷检测结构、存储器及插塞缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202211431559.0 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115862724A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 潘逢佳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 黄一磊 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 结构 存储器 方法 | ||
1.一种插塞缺陷检测结构，其特征在于，包括：衬底、至少两个检测有源区、至少两个检测栅极以及至少两个检测插塞，所述衬底包括冗余区，所述检测有源区形成于所述冗余区中，每个所述检测栅极跨越一个或者两个所述检测有源区，且每个所述检测栅极上方形成有一个所述检测插塞，所述检测插塞位于所述检测栅极与所述检测有源区相交处。
2.如权利要求1所述的插塞缺陷检测结构，其特征在于，所述检测栅极跨越一个所述检测有源区，同一条所述检测有源区上的所述检测插塞位于所述检测栅极的同侧，相邻的所述检测有源区上的所述检测插塞位于所述检测栅极的异侧。
3.如权利要求1所述的插塞缺陷检测结构，其特征在于，所述检测栅极与两个所述检测有源区电性连接，相邻的所述检测栅极上的所述检测插塞位于不同的所述检测有源区上。
4.如权利要求3所述的插塞缺陷检测结构，其特征在于，相邻的所述检测栅极上的所述检测插塞位于所述检测栅极的异侧。
5.如权利要求1所述的插塞缺陷检测结构，其特征在于，还包括：
侧墙，所述侧墙覆盖所述检测栅极的侧壁。
6.一种存储器，包括如权利要求1至5所述的插塞缺陷检测结构。
7.如权利要求6所述的存储器，所述衬底还包括器件区，其特征在于，还包括：存储有源区、存储栅极及插塞，所述存储有源区位于所述器件区中，每个所述存储栅极跨越至少三个所述存储有源区，所述插塞位于所述存储栅极与所述存储有源区相交处。
8.一种插塞缺陷检测方法，其特征在于，采用如权利要求1至5中所述的插塞缺陷检测结构检测插塞。
9.如权利要求8所述的插塞缺陷检测方法，其特征在于，包括：
使用电子束扫描所述插塞缺陷检测结构，获得每个所述检测插塞的电压衬度以构成电压衬度图像；
将所述电压衬度图像与标准图像进行对比，若所述电压衬度图像内某一所述检测插塞对应的电压衬度的灰度值大于所述标准图像的灰度值，则将该所述检测插塞标记为缺陷。
10.如权利要求8所述的插塞缺陷检测方法，其特征在于，所述标准图像为所述检测插塞与所述检测栅极及所述检测有源区均电性连接时进行电子束扫描得到的电压衬度图像。
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