[发明专利]芯片精度测试平台、单电流测试方法及芯片精度测试方法在审
| 申请号： | 202211415067.2 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN116184290A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘海洋 | 申请（专利权）人： | 上海兴感半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片精度测试平台、单电流测试方法及芯片精度测试方法。所述芯片精度测试平台用于测试芯片及芯片阵列包括：电流源，所述电流源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电流；电压源，所述电压源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电源电压；温箱，所述温箱内设置待测的芯片，所述温箱温度可调以改变所述芯片的环境温度，用于实现所述芯片的环境温度调节；数据采集装置，用于选择性的采集所述芯片的输出信号；工控机，所述工控机用于控制所述电流源、电压源、温箱、以及数据采集装置。本发明提供一种芯片精度测试平台及芯片精度测试方法，实现对不同型号芯片精度的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 精度 测试 平台 电流 方法 | ||
【主权项】：
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